RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
46
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
45
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2190
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link