RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
57
Wokół strony 70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
57
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2377
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology C 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link