Comparación de la memoria RAM Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Puntuación global

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

17 57

En 70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

22.8 19.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.4 10.1

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 10600

En 1.81 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3391 2377

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns