Comparação RAM Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Pontuação geral

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

17 57

Por volta de 70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

22.8 19.1

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.4 10.1

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Maior largura de banda de memória, mbps

19200 10600

Por volta de 1.81 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3391 2377

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns