RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3490
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link