RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3026
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link