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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
45
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
30
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3026
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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