RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3061
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link