RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
51
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3061
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link