RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3061
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link