RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3736
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link