RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
15.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3736
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link