RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3597
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link