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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,833.8
22.6
写入速度,GB/s
2,123.3
16.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3597
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
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