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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
28
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
19
读取速度,GB/s
13.3
20.7
写入速度,GB/s
8.5
16.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
3735
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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