RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
59
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3135
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link