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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
59
左右 -168% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
22
读取速度,GB/s
4,833.8
17.4
写入速度,GB/s
2,123.3
12.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3135
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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