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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
63
左右 52% 更低的延时
需要考虑的原因
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
63
读取速度,GB/s
10.6
14.7
写入速度,GB/s
6.8
12.7
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2543
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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