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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.5
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
35
读取速度,GB/s
16.9
15.8
写入速度,GB/s
12.0
12.5
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2927
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
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