Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

总分
star star star star star
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

总分
star star star star star
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    39 left arrow 45
    左右 13% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    15.6 left arrow 14
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.8 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    39 left arrow 45
  • 读取速度,GB/s
    14.0 left arrow 15.6
  • 写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 12.8
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2489 left arrow 2925
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较