RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
59
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2804
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link