RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
59
Около -59% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2804
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link