RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2577
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link