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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
16.9
写入速度,GB/s
2,123.3
12.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2577
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
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