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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
46
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
39
读取速度,GB/s
2,909.8
13.4
写入速度,GB/s
1,519.2
9.4
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2529
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
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