RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2529
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link