RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2529
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link