RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3198
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link