RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
53
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
53
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2319
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link