RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
72
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1951
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link