RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2897
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link