RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3567
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link