RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2732
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link