RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
34
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
11.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2732
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link