RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
59
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3779
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link