RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
59
Por volta de -168% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
16.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3779
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link