RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2771
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link