RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3077
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link