RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
73
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
73
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1838
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link