RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
23.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
4380
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link