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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
23.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
19.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
59
Intorno -136% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
25
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
23.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
19.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
4380
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
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