RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
23.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
19.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
59
Intorno -136% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
25
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
23.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
19.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
4380
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link