Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Punteggio complessivo
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A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

Differenze

  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 17000
    Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 34
    Intorno -13% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.7 left arrow 16.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.3 left arrow 12.1
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    34 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.4 left arrow 16.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.1 left arrow 12.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2616 left arrow 3106
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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