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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Confronto
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
34
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
16.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
12.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
30
Velocità di lettura, GB/s
16.4
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.1
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2616
3106
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
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