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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Comparez
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
34
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.4
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2616
3106
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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