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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
34
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
12.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.4
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.1
12.3
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2616
3106
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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