RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3106
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link