RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 30
    Около 20% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 16
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 12.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3106

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
модули RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
модули RAM
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
модули RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
модули RAM