RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3106
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link