RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3535
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link