RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
4029
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link