Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 20.6

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 59

Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи

20.0 2,123.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 24
Скорость чтения, Гб/сек

4,833.8 20.6
Скорость записи, Гб/сек

2,123.3 20.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

731 4029

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB

MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

модули RAM

Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB

Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

модули RAM

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

модули RAM