RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
59
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3714
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link