RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
59
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3714
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link