RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3552
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link